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NOR Flash Memory IC 1G 110ns S29GL01GS11DHIV20 FBGA-64 Package

NOR 플래쉬 메모리 IC 1G 110 나노 초 S29GL01GS11DHIV20 FBGA-64 패키지

  • 하이 라이트

    1G 순간 메모리용 IC

    ,

    플래쉬 메모리 IC 110 나노 초

    ,

    S29GL01GS11DHIV20

  • 인피네온
    S29GL01GS11DHIV20
  • 캡슐화
    FBGA-64
  • 저장
    1 그비트
  • 공급 전압 최소
    2.7V
  • 전원 전압 최대
    3.6V
  • 최소 작동 온도
    -40C
  • 작동 온도
    +80C
  • 패킹량
    520 PC
  • 원래 장소
    독일
  • 브랜드 이름
    Infineon
  • 모델 번호
    S29GL01GS11DHIV20
  • 최소 주문 수량
    1 PC
  • 가격
    Bargain
  • 포장 세부 사항
    트레이
  • 배달 시간
    48 시간
  • 지불 조건
    L/C (신용장), 전신환
  • 공급 능력
    5200 PCS+48hours

NOR 플래쉬 메모리 IC 1G 110 나노 초 S29GL01GS11DHIV20 FBGA-64 패키지

 

S29GL01GS11DHIV20     인피네온     1G 3V 110 나노 초 평행한 NOR 플래시 FBGA-64

 

제조사 : 인피네온
상품 종류 : NOR 플래시
설치 방식 : SMD / SMT
패키지 / 박스 : FBGA-64
시리즈 : S29GL01G/512/256/128S
기억 용량 : 1 그비트
공급 전압 - 민 : 2.7 V
공급 전압 - 맥스 : 3.6 V
활동적 읽기전류 (최대) : 60 마
인터페이스 타입 : 대비
조직 : 64M X 16
데이터 버스 폭 : 16비트
타이밍식 : 비동시적입니다
최소 작동 온도 : - 40 C
최대 작업 온도 : + 85 C
패키지 : 트레이
구조 : 이클립스
축적형 : 도 또한
습도 감도 : 예
속도가 나세요 : 110 나노 초
패킹량 : 520 PC
하위범주 : 메모리 & 데이터 스토리지
브랜드명 : 미러비트
단일 가중치 : 3 G

 

 

S29GL01GS11DHI020

S29GL01GS11DHV020

S29GL01GS11DHB020

S29GL01GS11DHSS20

S29GL01GS11DHAV20

S29GL01GS11DHA020

S29GL01GS11DHB010

S29GL01GS11DHIV10
S29GL01GS11DHV010
S29GL01GS11DHI010

S29GL01GS11DHSS10

S29GL01GS11DHIV13

S29GL01GS11DHB013

S29GL01GS11DHV013

S29GL01GS11DHA023
S29GL01GS11DHV023

S29GL01GS11DHB023

S29GL01GS11DHIV23
S29GL01GS11DHAV23

S29GL01GS11DHSS60
S29GL01GS11DHSS63

 

 

NOR 플래쉬 메모리 IC 1G 110 나노 초 S29GL01GS11DHIV20 FBGA-64 패키지 0NOR 플래쉬 메모리 IC 1G 110 나노 초 S29GL01GS11DHIV20 FBGA-64 패키지 1