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128Mb Parallel NOR Flash Memory 3V 110ns S29GL128P10TFI010 TSOP-56

128Mb 평행한 NOR 플래쉬 메모리 3V 110 나노 초 S29GL128P10TFI010 TSOP-56

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    대비 NOR 플래시 110 나노 초

  • 인피네온
    S29GL128P10TFI010
  • 캡슐화
    TSOP-56
  • 저장
    128 메가비트
  • 공급 전압 최소
    2.7V
  • 전원 전압 최대
    3.6V
  • 최소 작동 온도
    -40C
  • 작동 온도
    +80C
  • 패킹량
    910 PC
  • 원래 장소
    독일
  • 브랜드 이름
    Infineon
  • 모델 번호
    S29GL128P10TFI010
  • 최소 주문 수량
    1 PC
  • 가격
    Bargain
  • 포장 세부 사항
    트레이
  • 배달 시간
    48 시간
  • 지불 조건
    L/C (신용장), 전신환
  • 공급 능력
    9100 PCS+48hours

128Mb 평행한 NOR 플래쉬 메모리 3V 110 나노 초 S29GL128P10TFI010 TSOP-56

 

S29GL128P10TFI010     인피네온     128Mb 3V 110 나노 초 평행한 NOR 플래시 TSOP-56

 

제조사 : 인피네온
상품 종류 : NOR 플래시
설치 방식 : SMD / SMT
패키지 / 박스 : TSOP-56
시리즈 : S29GL-P
기억 용량 : 128 메가비트
공급 전압 - 민 : 2.7 V
공급 전압 - 맥스 : 3.6 V
활동적 읽기전류 (최대) : 110 마
인터페이스 타입 : 대비
조직 : 16M X 8
데이터 버스 폭 : 8비트
타이밍식 : 비동시적입니다
최소 작동 온도 : - 40 C
최대 작업 온도 : + 85 C
패키지 : 트레이
구조 : 분야
축적형 : 도 또한
습도 감도 : 예
속도가 나세요 : 100 나노 초
패킹량 : 910 PC
하위범주 : 메모리 & 데이터 스토리지
단일 가중치 : 3.107 G

 

 

S29GL128P10TFI020
S29GL128P10TFI013
S29GL128P10TFI023

 

 

128Mb 평행한 NOR 플래쉬 메모리 3V 110 나노 초 S29GL128P10TFI010 TSOP-56 0128Mb 평행한 NOR 플래쉬 메모리 3V 110 나노 초 S29GL128P10TFI010 TSOP-56 1