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STGB30H65DFB2 ST Transistor 30 A High Speed HB2 Series IGBT D2PAK-3

STGB30H65DFB2 ST 트랜지스터 30 A 고속 HB2 시리즈 IGBT D2PAK-3

  • 하이 라이트

    IGBT D2PAK-3

    ,

    STGB30H65DFB2 ST 트랜지스터

    ,

    30 A IGBT 트랜지스터

  • STM이크로전자
    STGB30H65DFB2
  • 캡슐화
    D2PAK-3
  • 콜렉터-에미터 포화전압
    1.65 V
  • Pd - 전력 소모
    167W
  • 최소 동작 온도
    -55C
  • 최대 작업 온도
    +175C
  • 패킹량
    1000개
  • 원래 장소
    이탈리아
  • 브랜드 이름
    STMicroelectronics
  • 모델 번호
    STGB30H65DFB2
  • 최소 주문 수량
    1pcs
  • 가격
    Negotiated Price
  • 포장 세부 사항
  • 배달 시간
    24-72hours
  • 지불 조건
    T/T, L/C
  • 공급 능력
    10000 PCS+48hours

STGB30H65DFB2 ST 트랜지스터 30 A 고속 HB2 시리즈 IGBT D2PAK-3

 

STGB30H65DFB2 ST 트랜지스터 30 A 고속 HB2 시리즈 IGBT D2PAK-3

 

 

제조사: STMicroelectronics
제품군: IGBT 트랜지스터
기술:
장착 방식: SMD/SMT
구성: 단일
콜렉터-에미터 최대 전압 VCEO: 650V
콜렉터-에미터 포화 전압: 1.65V
포트/에미터 최대 전압: - 20V, 20V
25C: 50A의 연속 컬렉터 전류
Pd 전력 분산: 167W
최소 작동 온도: - 55 C
최대 작동 온도: + 175 C
패키지: 릴
패키지: 절단 테이프
패키지: 마우스 릴
브랜드: STMicroelectronics
제품 종류: IGBT 트랜지스터
패키지 양: 1000 PCS
하위 범주: IGBT
단위 무게: 1,380g

 

 

STGB30H65DFB2 ST 트랜지스터 30 A 고속 HB2 시리즈 IGBT D2PAK-3 0

STGB30H65DFB2 ST 트랜지스터 30 A 고속 HB2 시리즈 IGBT D2PAK-3 1