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3 Phase Inverter IGBT Modules / FP75R12KT4B11BOSA1 Low Power ECONO

3 위상 반전기 IGBT 모듈 / FP75R12KT4B11BOSA1 저 소비 전력 ECONO

  • 하이 라이트

    인버터 IGBT 모듈

    ,

    3 단계 IGBT 모듈

    ,

    FP75R12KT4B11BOSA1

  • 인피네온
    FP75R12KT4B11BOSA1
  • 구성
    3-단계 인버터
  • 콜렉터-에미터 최대 전압 VCEO
    1.2 kV
  • 콜렉터-에미터 포화전압
    1.85 V
  • 25C에 있는 연속적인 컬렉터전류
    75 A
  • 게이트 발산기 누설 전류
    100 nA
  • Pd 전원 산재
    385 W
  • 최소 작동 온도
    -40C
  • 최대 작업 온도
    +150C
  • 패키징
    10 PC
  • 원래 장소
    독일
  • 브랜드 이름
    Infineon
  • 모델 번호
    FP75R12KT4B11BOSA1
  • 최소 주문 수량
    1 PC
  • 가격
    Bargain
  • 포장 세부 사항
    트레이
  • 배달 시간
    48 시간
  • 지불 조건
    L/C (신용장), 전신환
  • 공급 능력
    500 PCS+48hours

3 위상 반전기 IGBT 모듈 / FP75R12KT4B11BOSA1 저 소비 전력 ECONO

 

FP75R12KT4B11BOSA1   SP000355575    인피네온    IGBT 모듈 저 소비 전력 ECONO

FP75R12KT4 B11

 

 

 

제조사 : 인피네온
상품 종류 : IGBT 모듈
구성 : 3-단계 인버터
콜렉터-에미터 최대 전압 VCEO : 1.2 kV
콜렉터-에미터 포화전압 : 1.85 V
25 C에 있는 연속적인 컬렉터전류 : 75 A
게이트 발산기 누설 전류 : 100 nA
Pd 전원 산재 : 385 W
패키지 / 내각 : 에코노 3
최소 작동 온도 : - 40 C
최대 작업 온도 : + 150 C
패키지 : 트레이
높이 : 17 밀리미터
길이 : 122 밀리미터
게이트 / 방출기 최대 전압 : 20 V
증가하는 방식 : 샤시 탑재
상품 종류 : IGBT 모듈
시리즈 : 트렌치스탑 IGBT4 - T4
패킹량 : 10 PC
하위범주 : IGBT
기술 : Si

 

 

3 위상 반전기 IGBT 모듈 / FP75R12KT4B11BOSA1 저 소비 전력 ECONO 03 위상 반전기 IGBT 모듈 / FP75R12KT4B11BOSA1 저 소비 전력 ECONO 1